倒装LED芯片的建造工艺

倒装LED圆片制程工艺

倒装芯片与正装芯片的圆片建造进程大抵不异,都须要在内涵层长停止刻蚀,显露基层的N型GaN;而后在P和N极上别离建造出欧姆打仗电极,再在芯片外表建造钝化掩护层,最初建造焊接用的金属焊盘,其建造流程如图5所示。

与正装芯片比拟,倒装芯片须要建造成电极朝下的布局。这类特别的布局,使得倒装芯片在一些工艺步骤上有特别的须要,如欧姆打仗层必须具备高反射率,使得射向芯片电极外表的光可以或许或许尽可能多的反射回蓝宝石的一面,以保障杰出的出光效力。

倒装芯片的幅员也须要按照电流的平均散布,做最优化的设想。因为圆片建造工艺中,GaN刻蚀(Mesa刻蚀)、N型打仗层建造、钝化层建造、焊接金属PAD建造都与正装芯片根基不异,这里就不具体报告了,上面重点针对倒装芯片特别工艺停止简略的申明。

在LED芯片的建造进程中,欧姆打仗层的工艺是芯片出产的焦点,对倒装芯片来讲尤其首要。欧姆打仗层既有传统的负担起电性毗连的功效,也作为反光层的感化,如图9所示。

在P型欧姆打仗层的建造工艺中,要挑选适合的欧姆打仗材料,既要保障与P型GaN打仗电阻要小,又要保障超高的反射率。另外,金属层厚度和退火工艺对欧姆打仗特征和反射率的影响很是大,此工艺相当首要,其干系到全部LED的光效、电压等首要手艺参数,是倒装LED芯片工艺中最首要的一环。

今朝这层欧姆打仗层普通都是用银(Ag)或银的合金材料来建造,在适合的工艺前提下,可以或许取得不变的高机能的欧姆打仗,同时可以或许或许保障欧姆打仗层的反射率跨越95%。

倒装LED芯片后段制程

与正装LED芯片一样,圆片工艺制程后,还包含芯片后段的工艺制程,其工艺流程如图7所示,首要包含研磨、抛光、切割、劈裂、测试和分类等工序。这里工序中,独一有差别的是测试工序,别的工序根基与正装芯片完整不异,这里不再赘述。

倒装芯片因为出光面与电极面在差别标的目的,是以在切割后的芯片点测时,探针在LED正面电极上扎针丈量时,LED的光是从反面收回。要测试LED的光特征(波长、亮度、半波宽等),必须从探针台的上面收光。

是以倒装芯片的点测机台与正点缀测机台差别,测光装配(探头或积分球)必须放在探针和芯片的上面,并且芯片的载台必须是透光的,能力对光特征停止测试。

以是,倒装芯片的点测机台须要特别建造或革新。

(以上笔墨素材由网上清算而来,仅供给交换进修)